Gonzalez, J.M., Restrepo, J.S., Ortega Portilla, C., Ruden Muñoz, A. y Sequeda Osorio, F. 2016. Influencia de la inserción de átomos de Si en la formación del compuesto TiSiN por simulación DFT. Ingeniería y Ciencia. 12, 23 (feb. 2016), 11–23. DOI:https://doi.org/10.17230/ingciencia.12.23.1.