J. M. Gonzalez, J. S. Restrepo, C. Ortega Portilla, A. Ruden Muñoz, y F. Sequeda Osorio, «Influencia de la inserción de átomos de Si en la formación del compuesto TiSiN por simulación DFT», ing.cienc., vol. 12, n.º 23, pp. 11–23, feb. 2016.