Gonzalez, J. M.; Restrepo, J. S.; Ortega Portilla, C.; Ruden Muñoz, A.; Sequeda Osorio, F. Influencia de la inserción de átomos de Si en la formación del compuesto TiSiN por simulación DFT. ing.cienc. 2016, 12 (23), 11-23. https://doi.org/10.17230/ingciencia.12.23.1.