Gonzalez, J. M., Restrepo, J. S., Ortega Portilla, C., Ruden Muñoz, A., & Sequeda Osorio, F. (2016). Influencia de la inserción de átomos de Si en la formación del compuesto TiSiN por simulación DFT. Ingeniería y Ciencia, 12(23), 11-23. https://doi.org/10.17230/ingciencia.12.23.1